МОП структура (Металл - Оксид - Полупроводник) — наиболее широко используемый тип полевых транзисторов. Название МОП является традиционным названием такой структуры. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем оксида кремния SiO₂. В общем случае структуру называют МДП (металл - диэлектрик - полупроводник). Транзисторы на основе МОП-структур, в отличие от биполярных, управляются напряжением, а не током и называются униполярными транзисторами, так как для его работы необходимо наличие носителей заряда только одного типа.

Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми или МОП-транзисторами (в зарубежной литературе MOSFET — metall-oxide-semiconductor field effect transistor).

Базовая классификация

Тип канала

Наиболее распространены транзисторы с индуцированным каналом (канал закрыт при нулевом напряжении исток-затвор), именно их имеют в виду, когда не упоминают тип канала. Англоязычное название таких приборов enhancement mode transistor.

Гораздо реже встречаются транзисторы с встроенным каналом (канал открыт при нулевом напряжении исток-затвор). Такие транзисторы в англоязычной литературе обозначаются как depletion mode transistor.

Тип проводимости

Также существует два типа проводимости канала: n-канальные и p-канальные. Если транзистор n-канальный:

• он открывается положительным напряжением на затворе по отношению к истоку.
• паразитный диод в структуре канала катодом подсоединен к стоку, анодом - к истоку.
• канал обычно подсоединяют так, что на стоке более положительное напряжение, чем на истоке.

Если транзистор p-канальный:

• он открывается отрицательным напряжением на затворе по отношению к истоку.
• паразитный диод в структуре канала анодом подсоединен к стоку, катодом - к истоку.
• канал обычно подсоединяют так, что на стоке более отрицательное напряжение, чем на истоке.

Особые случаи

Существуют транзисторы с несколькими затворами.

Некоторые виды мощных переключательных транзисторов снабжаются специальным отводом от части канала с целью контроля тока через транзистор. Такой прием позволяет избежать дополнительных потерь на внешних токоизмерительных шунтах.

Условные графические обозначения

Следует заметить что хотя формально разделение индуцированного и встроенного каналов предусмотрено на УГО, в реальности оно не соблюдается.

Особенности работы МОП транзисторов

В униполярных транзисторах управляющим сигналом является разность потенциалов на участке затвор-исток.

При изменении входного напряжения (), изменяется состояние транзистора и

1. Транзистор закрыт
2. Крутой участок.

   — удельная крутизна транзистора.

3. Дальнейшее увеличение приводит к переходу на пологий участок.

    — Уравнение Ховстайна.

Ссылки

• http://www.gaw.ru/html.cgi/txt/doc/transistor/igbt_semi/index.htm Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов
• http://masters.donntu.edu.ua/2001/fvti/tereschuk/diss/g2.htm Терещук Д.С. 2 ЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ СБИС НА ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНОМ УРОВНЕ. Рис.2.6 - а) SR-фиксатор, б) Реализация SR-фиксатора на МОП-транзисторах
• http://www.gaw.ru/html.cgi/txt/publ/transistor/mosfet_nxp.htm Егоров Алексей,Компания Гамма Санкт-Петербург